Chất bán dẫn và độ dẫn điện

Điện trở phụ thuộc hình dạng mẫu

Cùng vật liệu và cùng tiết diện, thanh dài hơn có điện trở lớn hơn.

Hai thanh cùng tiết diện A, cùng nối một nguồn điện.

L lớn → R lớn → dòng nhỏ.

Xem lời đọc

Ta có hai thanh cùng vật liệu, cùng tiết diện, và cùng nối vào một nguồn điện. Một thanh ngắn, một thanh dài. Hãy nhìn thước đo chiều dài ở mỗi thanh. Trong thanh dài, electron chạy chậm hơn, nên dòng nhỏ hơn. Nghĩa là thanh dài cản dòng nhiều hơn, tức điện trở lớn hơn. Vì vậy, điện trở không chỉ nói về vật liệu mà còn phụ thuộc hình dạng. Muốn so sánh các vật liệu, ta phải đưa chúng về cùng hình dạng.

Với thanh đồng nhất, R = ρL/A. L là chiều dài, A là tiết diện và ρ là điện trở suất. Điện trở R phụ thuộc cả vật liệu lẫn hình học mẫu.

Điện trở suất

resistivity (điện trở suất) ρ là tính chất của vật liệu, cho biết mức cản trở dòng điện.

Hai khối cùng kích thước, cùng nguồn điện; chỉ đổi vật liệu. silicon dioxide (silic đioxit, SiO₂) là chất cách điện.

ρ lớn → cản nhiều → dòng nhỏ.

Xem lời đọc

Bây giờ hai khối có cùng kích thước và cùng một nguồn điện. Ta chỉ đổi vật liệu. Điện trở suất là tính chất của vật liệu, cho biết nó cản trở dòng điện nhiều hay ít. Dòng điện là lượng điện tích đi qua một tiết diện trong mỗi giây. Đồng có rất nhiều electron tự do, nên dòng lớn. Silic đioxit là chất cách điện, gần như không có electron tự do, nên dòng nhỏ đến mức xem như bằng không. Điện trở suất càng lớn thì dòng càng nhỏ.

Điện trở suất là tính chất của vật liệu tại điều kiện đo đã nêu. Nó thay đổi theo nhiệt độ và trạng thái của mẫu. Đơn vị thường dùng là Ω·cm hoặc Ω·m. Các vật cản trên hình chỉ là cách hình dung ρ, không phải cấu trúc thật.

Vị trí của silicon trong phép so sánh vật liệu

Ở khoảng 300 K, intrinsic silicon (silicon nội tại) dẫn kém đồng nhưng tốt hơn SiO₂.

Silicon chen vào giữa: ρ của Si nằm giữa Cu và SiO₂.

Ba khối cùng kích thước, cùng nguồn điện; dòng giảm dần từ Cu, đến Si, đến SiO₂. Tốc độ chấm chỉ là quy ước thể hiện độ lớn dòng, không phải tốc độ trôi thật.

Xem lời đọc

Bây giờ silicon chen vào giữa. Ba khối cùng kích thước, cùng nối vào một nguồn điện, ở khoảng ba trăm ken vin. Trong đồng, dòng lớn nhất. Trong silicon nội tại, dòng nhỏ hơn đồng rất nhiều, nhưng vẫn lớn hơn trong silic đioxit. Trong silic đioxit, dòng nhỏ nhất. Như vậy điện trở suất của silicon nằm giữa đồng và chất cách điện. Trên hình, chấm chạy nhanh hay chậm chỉ là quy ước để thể hiện dòng lớn hay nhỏ, không phải tốc độ trôi thật của electron. Thật ra dòng ở ba vật liệu chênh nhau rất nhiều bậc, chủ yếu vì số hạt tải khác nhau.

Tốc độ electron trên hình chỉ cho thấy thứ tự, không theo tỉ lệ thật: ρ của đồng và silicon nội tại chênh nhau hàng trăm tỉ lần. Giá trị của silic đioxit phụ thuộc cách tạo và đo lớp oxit.

Nếu vẽ giá trị ρ trên một trục, cần dùng thang logarit. ρ của silicon thay đổi đáng kể theo nhiệt độ và pha tạp.

Hạt tải điện

Dòng điện cần những charge carriers (hạt tải điện) có thể chuyển động trong vật liệu.

Đồng có rất nhiều hạt tải, silicon nội tại rất ít, silic đioxit gần như không có.

Số chấm trên hình chỉ minh họa, không theo tỉ lệ nồng độ thật.

Xem lời đọc

Vì sao ba vật liệu lại khác nhau đến vậy? Ta nhìn vào bên trong, lúc này chưa cần nguồn điện. Các vòng tròn là nguyên tử đứng yên trong mạng. Các chấm xanh là electron tự do, có thể chuyển động khắp vật liệu. Ta gọi chúng là hạt tải điện. Đồng có rất nhiều hạt tải. Silicon nội tại chỉ có vài hạt. Silic đioxit gần như không có hạt nào. Hạt tải càng ít thì dòng càng nhỏ.

Trong bán dẫn, electron và lỗ trống đều có thể là hạt tải. Độ linh động cho biết chúng dịch chuyển dễ đến mức nào dưới điện trường. Số chấm trên hình không theo tỉ lệ nồng độ thật của đồng, silicon và oxit.

Silicon tinh khiết ở nhiệt độ phòng

Ở 300 K, silicon nội tại chỉ có một lượng nhỏ hạt tải di động.

Nhiệt bật một electron ra khỏi liên kết; chỗ trống nó để lại là một lỗ trống.

Electron tự do và lỗ trống cùng góp phần tạo dòng.

Xem lời đọc

Ta quay về mạng tinh thể silicon tinh khiết. Mỗi nguyên tử nối với bốn nguyên tử bên cạnh bằng các liên kết, và mỗi liên kết giữ hai electron. Ở nhiệt độ phòng, dao động nhiệt thỉnh thoảng đủ mạnh để bật một electron ra khỏi liên kết. Electron này trở thành electron tự do. Chỗ nó để lại là một lỗ trống. Một cặp electron và lỗ trống ra đời cùng lúc, và cả hai đều có thể mang dòng. Nhưng số cặp như vậy rất ít.

MIT OCW dùng nồng độ hạt tải nội tại của silicon ở 300 K cỡ 1010 cm−3. Giá trị cụ thể phụ thuộc mô hình và điều kiện.

Hình liên kết chỉ cho thấy sự tạo cặp electron–lỗ trống, không biểu diễn quỹ đạo cổ điển của electron. Độ rộng vùng cấm không đồng nhất với năng lượng bẻ một liên kết Si–Si riêng lẻ.

Pha tạp để đặt trước tính dẫn

doping (pha tạp) thay đổi số hạt tải bằng một lượng nhỏ nguyên tử khác trong silicon.

Thay một nguyên tử Si bằng P: thừa electron, đó là n-type (loại n).

Thay bằng B: thiếu electron, tạo lỗ trống, đó là p-type (loại p).

Xem lời đọc

Muốn có nhiều hạt tải hơn, ta thay vài nguyên tử silicon bằng nguyên tử khác ngay lúc chế tạo. Bên trái là phốt pho. Nó thừa một electron so với nhu cầu của các liên kết, nên electron thừa này tự do chuyển động. Bên phải là bo. Nó thiếu một electron, nên để lại một lỗ trống. Hai nguyên tử tạp chất vẫn đứng yên trong mạng. Chỉ electron và lỗ trống mới di chuyển.

phosphorus (phốt pho, P) là ví dụ nguyên tử cho; boron (bo, B) là ví dụ nguyên tử nhận.

Số hạt tải sinh ra phụ thuộc mức ion hóa và điều kiện vật liệu. Không coi một nguyên tử luôn cho đúng một hạt tải ở mọi nhiệt độ và nồng độ.

Điều khiển hạt tải bằng điện trường

Điện trường kéo hạt tải chuyển động: electron ngược chiều, lỗ trống cùng chiều điện trường.

Khối loại n có electron, khối loại p có lỗ trống, cùng nối một nguồn.

Các nguyên tử tạp chất vẫn đứng yên.

Xem lời đọc

Hạt tải là điện tích, nên chịu lực của điện trường. Ta nối nguồn vào hai đầu mỗi khối. Điện trường đi từ cực dương sang cực âm. Trong khối loại nờ, electron mang điện âm nên bị kéo ngược chiều điện trường. Trong khối loại pi, lỗ trống mang điện dương nên bị kéo cùng chiều điện trường. Các nguyên tử tạp chất vẫn đứng yên. Lỗ trống chỉ chạy trong khối loại pi. Tới mép, electron từ dây lấp đầy nó, còn ở mép bên kia một lỗ trống mới được sinh ra. Điện trường càng mạnh, hạt tải càng bị kéo mạnh. Đó là cách điện áp điều khiển hạt tải, và ta sẽ dùng ý này ở các bài sau.

Điện trường đi từ cực dương sang cực âm. Dòng điện quy ước đi theo chiều điện trường: electron đi ngược chiều điện trường vẫn góp dòng cùng chiều đó. Ở các bài sau, ý tưởng điện trường điều khiển hạt tải được dùng trong tiếp giáp p-n và MOSFET.

Số liệu

Phép so sánh dùng các mẫu cùng chiều dài, tiết diện và điện áp ở gần 300 K. Điện trở suất tham khảo: đồng 1,77e-6 Ω·cm; silicon nội tại 3,2e+5 Ω·cm; SiO₂ nhiệt cỡ 1e+12 Ω·cm. Trục so sánh là logarit; độ dày mũi tên dòng và số chấm hạt tải chỉ minh họa, không theo tỉ lệ thực.

Nguồn: NBS/NIST, điện trở suất đồng (hiệu chỉnh từ 20 °C đến 300 K); Ioffe NSM, silicon nội tại ở 300 K; MIT 6.777, oxit silicon nhiệt. Giá trị oxit chỉ là bậc lớn và phụ thuộc mẫu, công nghệ tạo oxit, phép đo. Số liệu được tạo bởi scripts/so-lieu/chat-ban-dan-va-do-dan-dien.mjs. Giọng đọc được tạo tại máy bằng VieNeu-TTS.